Svinkovod.ru

Бытовая техника
0 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Как тайминги памяти влияют на производительность

Как тайминги памяти влияют на производительность?

Тайминги оперативной памяти: что это такое, и как они влияют на производительность Windows?

Пользователи, которые собственноручно стараются улучшить производительность компьютера, прекрасно понимают, что принцип «чем больше, тем лучше» для компьютерных составляющих работает не всегда. Для некоторых из них вводятся дополнительные характеристики, которые влияют на качество работы системы не меньше, чем объём. И для многих устройств это понятие скорости. Причём этот параметр влияет на производительность почти всех устройств. Здесь вариантов тоже немного: чем быстрее, получается, тем лучше. Но давайте проясним, как конкретно понятие скоростных характеристик в оперативной памяти влияет на производительность Windows.

Скорость модуля оперативной памяти — это основной показатель передачи данных. Чем больше заявленное число, тем быстрее компьютер будет «закидывать в топку» объёмов оперативной памяти сами данные и «изымать» их оттуда. При этом разница в объёмах самой памяти может свестись на нет.

Скорость и объём: что лучше?

Представьте себе ситуацию с двумя железнодорожными составами: первый огромный, но медленный со старыми портальными кранами, которые неторопливо загружают и выгружают груз. И второй: компактный, но быстрый с современными быстрыми кранами, которые благодаря скорости выполняют работу по загрузке и доставке быстрее в разы. Первая компания рекламирует свои объёмы, недоговаривая, что груз придётся ждать очень долго. А вторая при меньших объёмах, однако, успеет обработать груза в разы больше. Многое, конечно, зависит и от качества самой дороги, и расторопности машиниста. Но, как вы поняли, совокупность всех факторов и определяет качество доставки груза. А с планками оперативной памяти в слотах материнской платы ситуация аналогична?

Помятуя о приведённом примере, при выборе планок оперативной памяти мы сталкиваемся с номенклатурным выбором. Выбирая планку где-нибудь в интернет-магазине, мы ищем аббревиатуру DDR, но вполне вероятно, что мы можем столкнуться и со старыми добрыми стандартами PC2, PC3 и PC4, что всё ещё в ходу. Так, нередко за общепринятыми стандартами типа DDR3 1600 RAM можно увидеть характеристику PC3 12800, рядом с DDR4 2400 RAM нередко стоит PC4 19200 и т.д. Это и есть те данные, которые помогут объяснить как быстро будет доставлен наш груз.

Читаем характеристики памяти: сейчас всё сами поймёте

Пользователи, умеющие оперировать числами в восьмеричной системе, увязывают такие понятия быстро. Да, здесь речь о тех самых выражениях в битах/байтах:

Помня это простенькое уравнение, можно легко посчитать, что DDR3 1600 означает скорость PC3 12800 бит/сек. Аналогично этому DDR4 2400 означает PC4 со скоростью 19200 бит/сек. Но если со скоростью передачи всё ясно, то что же такое тайминги? И почему два, казалось бы, одинаковых по частоте модуля из-за разницы в таймингах могут показывать в специальных программах разные уровни производительности?

Характеристики таймингов должны быть представлены в числе прочих для планок RAM счетверёнными через дефис числами (8-8-8-24, 9-9-9-24 и т.д). Эти цифры обозначают специфичный промежуток времени, которое требуется модулю RAM для доступа к битам данных сквозь таблицы массивов памяти. Для упрощения понятия в предыдущем предложении и ввели термин «задержка»:

тайминги памяти

Задержка — это понятие, которое характеризует то, как быстро модуль получает доступ к «самому себе» (да простят меня технари за такую вольную интерпретацию). Т. е. как быстро байты перемещаются внутри чипов планки. И вот здесь действует обратный принцип: чем меньше числа, тем лучше. Меньшая задержка означает большую скорость доступа, а значит данные быстрее достигнут процессора. Тайминги «измеряют» время задержки (период ожиданияCL) чипа памяти, пока тот обрабатывает какой-то процесс. А число в составе нескольких дефисов означает сколько временных циклов этот модуль памяти «притормозит» информацию или данные, которую сейчас ждёт процессор.

И какое это значение имеет для моего компьютера?

тайминги модуля памяти

Представьте себе, вы после давненько совершённой покупки ноутбука решили добавить ещё одну планку оперативной памяти к уже имеющейся. Среди всего прочего, ориентируясь по наклеенному лейблу или на основании программ-бенчмарков можно установить, что по характеристикам таймингов модуль попадает под категорию CL-9 (9-9-9-24):

То есть данный модуль доставит до ЦПУ информацию с задержкой 9 условных циклов: не самый быстрый, но и не самый плохой вариант. Таким образом, нет смысла зацикливаться на приобретении планки с более низкими показателями задержки (и, теоретически, более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21, у которых количество циклов равно соответственно 4, 5 и 7.

модули с разными таймингами

первый модуль опережает второй почти на треть цикла

Как вы знаете по статье «Как выбрать оперативную память?«, параметры таймингов включают ещё одни важные значения:

  • CLCAS Latency — время, затрачиваемое на цикл «модуль получил командумодуль начал отвечать«. Именно этот условный период уходит на ответ процессору от модуля/модулей
  • tRCD — задержка RAS к CAS — время, затрачиваемое на активацию строчки (RAS) и столбца (CAS) — именно там данные в матрице и сохраняются (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
  • tRP — заполнение (Зарядка) RAS — время, затрачиваемое на прекращение доступа к одной строчке данных и начало доступа к следующей
  • tRAS — означает как долго придётся самой памяти ждать очередного доступа к самой себе
  • CMDCommand Rate — время, затрачиваемое на цикл «чип активированпервая команда получена (или чип готов к приёму команды)». Иногда этот параметр опускается: он всегда составляет один или два цикла ( или ).
Читайте так же:
Игровой компьютер за 500000

«Участие» некоторых из этих параметров в принципе подсчёта скорости работы оперативной памяти, можно также выразить в следующих рисунках:

параметры таймингов RAM

Кроме того, время задержки до момента, когда планка начнёт отсылать данные, можно подсчитать самому. Здесь работает простая формула:

Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Таким образом, из рисунка с CPUD можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 665-666 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 1333 МГц) будет выдавать примерно:

1 / 666 000 000 = 1,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-9 модуль будет выдавать «тормоза» периодом 1,5 х 9 = 13,5 нсек, при CL-7 : 1,5 х 7 = 10,5 нсек.

Что можно добавить к рисункам? Из них видно, что чем ниже цикл зарядки RAS, тем быстрее будет работать и сам модуль. Таким образом, общее время с момента подачи команды на «зарядку» ячеек модуля и фактическое получение модулем памяти данных, высчитывается по простой формуле (все эти показатели утилиты типа CPU-Z должны выдавать):

tRP + tRCD + CL

Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.

Как можно повлиять на них или отрегулировать тайминги?

У пользователя, как правило, для этого возможностей не очень много. Если в BIOS специальной настройки для этого нет, система будет конфигурировать тайминги автоматически. Если таковые имеются, можно попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых значений. А выставив, следите за стабильностью. Я, признаюсь, не мастер оверклокинга и никогда не погружался в подобные эксперименты.

Тайминги и производительность системы: выбираем по объёму

Если у вас не группа промышленных серверов или куча виртуальных серверов — абсолютно никакого влияния тайминги не возымеют. Когда мы употребляем это понятие, речь идёт о единицах наносекун. Так что при стабильной работе ОС задержки памяти и их влияние на производительность, основательные, казалось бы, в относительном выражении, в абсолютных значениях ничтожны: человек изменения в скорости заметить просто не сможет физически. Программы-бенчмарки это безусловно заметят, однако, если вы однажды станете перед выбором приобрести ли 8 Гб DDR4 на скорости 3200 или 16 Гб DDR4 со скоростью 2400, даже не сомневайтесь с выбором второго варианта. Выбор в пользу объёма, нежели скорости, у пользователя с пользовательской ОС обозначен всегда чётко. А взяв пару уроков оверклокинга по работе и настройке таймингов для RAM, можно после уже добиться улучшения производительности.

Так что же, на тайминги наплевать?

Для обычного пользователя — да. Ну, почти да. Просто здесь есть пара моментов, которые вы наверняка уже успели схватить сами. В сборке, где используется несколько процессоров и дискретная видеокарта, обладающая собственным чипом памяти, тайминги RAM не имеют никакого значения. Ситуация с интегрированными (встроенными) видеокартами немного меняется, и некоторые очень уж продвинутые пользователи чувствуют задержки в играх (насколько эти видеокарты вообще позволяют играть). Это и понятно: когда вся вычислительная мощь ложится на процессор и небольшой (скорее всего) объём оперативки, любая нагрузка сказывается. Но, опять же, опираясь на чужие исследования, могу передать их результаты вам. В среднем потеря производительности в скорости именитыми бенчмарками в различных тестах с уменьшением или увеличением таймингов в сборках с интегрированными или дискретными картами колеблется в районе 5-10%. Считайте, что это устоявшееся число. А много это или мало, вам судить.

Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS

Производительность памяти (DRAM) — это соотношение между скоростью и задержкой. Несмотря на то, что они тесно связаны между собой, эта связь не совсем то, что вы могли бы подумать. Рассмотрим, как скорость и задержка (CAS Latency) связаны на техническом уровне и как вы можете использовать эту информацию для оптимизации производительности памяти.

Восприятие задержки и реальная латентность оперативной памяти

Восприятие

•Многие пользователи считают, что CAS Latency точно отражает реальную задержку.

•Многие пользователи также уверены в том, что, поскольку CAS-задержки увеличиваются с повышением скорости, часть скорости обнуляется.

Реальность

•Инженеры, специализирующиеся на полупроводниках, знают, что CAS-задержки неточно отражают производительность.

•Латентность ОЗУ точнее всего измеряется в наносекундах.
•По мере увеличения скорости задержки сокращаются или остаются примерно на том же уровне, т. е. более высокие скорости обеспечивают лучшую производительность.

Разница между восприятием задержки и реальной задержкой сводится к способу ее определения и измерения.

Два гоночных автомобиля для демонстрации скорости памяти и CAS-задержки

Парадокс задержки

Задержка часто понимается неправильно, потому что в брошюрах с продукцией и сравнительным характеристикам она обозначается как CAS Latency (CL), которая составляет лишь половину уравнения задержки. Поскольку номинальные данные CL указывают только общее количество тактовых циклов, они не имеют ничего общего с продолжительностью каждого тактового цикла и поэтому не должны экстраполироваться как единственный показатель производительности задержки.

Читайте так же:
Зарядка из бесперебойника своими руками

Оценка задержки модулей в наносекундах позволяет определить, действительно ли один модуль откликается быстрее, чем другой. Чтобы вычислить задержку модуля, умножьте длительность тактового цикла на общее количество тактовых циклов. Эти данные указаны в официальной технической документации в спецификации модуля. Вот как выглядят эти расчеты.

Скорость модуля (МП/с)

Длительность цикла синхронизации (нс)

Что такое тайминги ОЗУ и уравнение задержки?

На базовом уровне задержка относится к разнице между вводом команды и ее выполнением. Тайминг (временная задержка) является промежутком между этими двумя событиями. Когда контроллер памяти направляет ей команду для доступа к определенному месту, данные должны пройти через несколько тактовых циклов в стробе адреса столбца (CAS), чтобы добраться до нужного местоположения и завершить команду. Исходя из этого, существует две переменные, которые определяют задержку модуля:

•Общее количество тактовых циклов, через которые должны пройти данные (указывается как CAS Latency или CL в спецификациях).

•Продолжительность каждого тактового цикла (измеренная в наносекундах).

Комбинация этих двух переменных позволяет нам получить уравнение задержки:

задержка (нс) = длительность тактового цикла (нс) x количество тактовых циклов

В истории технологии памяти по мере увеличения скорости длительность тактовых циклов уменьшалась. Это приводило к более низким задержкам по мере того, как технология взрослела, даже несмотря на то, что для этого требуется больше тактовых циклов. Поскольку скорости растут, а задержки остаются примерно на том же уровне, вы можете достичь более высокого уровня производительности, используя более новую, более быструю и энергоэффективную память.

На этом этапе обсуждения мы должны отметить, что, когда мы говорим, что «задержки остаются примерно на том же уровне», мы имеем в виду, что, например, за время развития от DDR3-1333 до DDR4-2666 задержки начинались с 13,5 нс и возвращались к 13,5 нс. Хотя есть несколько случаев, когда задержка увеличилась, но прирост измерялся в долях наносекунды. В этом диапазоне скорости увеличились более чем на 1300 МП/с, что фактически компенсирует любой незначительный прирост задержки.

Что важнее: скорость или латентность оперативной памяти?

Основываясь на глубоком инженерном анализе и обширном тестировании, проведенном в лаборатории испытаний производительности Crucial, ответ на этот извечный вопрос — скорость. В целом, по мере увеличения скоростей задержки оставались примерно на том же уровне, а значит, повышение скорости обеспечивает более высокий уровень производительности. Узнайте подробнее о совместимости памяти и других компонентов.

Оптимизируйте работу своего компьютера, установив память максимально возможного объема, использующую новейшую технологию памяти, и выбрав модули, скорость которых сопоставима с их экономичностью и актуальностью для приложений, которые вы используете.

© Корпорация Micron Technology, Inc., 2018. Все права защищены. Продукты, их технические характеристики, а также информация о них могут быть изменены без уведомления. Crucial и Micron Technology, Inc. не несут ответственности за ошибки и неточности в текстовых или фотографических материалах. Micron, логотип Micron, Crucial и логотип Crucial являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками Micron Technology, Inc. Все остальные товарные знаки являются собственностью соответствующих владельцев.

Выбор оперативной памяти для игрового ПК

Оперативная память — это память, где временно хранятся данные для быстрого доступа к ним.

Оперативная память позволяет повысить частоту кадров и скорость смены кадров в играх.

При выборе оперативной памяти следует обращать внимание на емкость и скорость.

Также следует знать разницу между форм-факторами, такими как DIMM и SO-DIMM.

Для современных игр нужно не менее 16 ГБ оперативной памяти или больше, если вы используете многозадачность.

Узнайте о том, что такое оперативная память, о разнице между DDR4, SDRAM и DIMM, и о том, как оперативная память влияет на игровой процесс.

Узнайте о том, что такое оперативная память, о разнице между DDR4, SDRAM и DIMM, и о том, как оперативная память влияет на игровой процесс.

Оперативная память (ОЗУ, оперативное запоминающее устройство) — важный компонент любого игрового ПК. Увеличение объема оперативной памяти может повысить быстродействие системы и улучшить частоту кадров по сравнению с системами с меньшим объемом памяти.

Читайте дальше, чтобы узнать, как работает оперативная память, как подобрать совместимые модули, и сколько памяти действительно требуется для игр.

Как работает оперативная память?

Оперативная память предназначена для краткосрочного хранения данных, необходимых ПК для нормальной работы. Однако, в отличие от жестких дисков и SSD-накопителей, где данные хранятся в течение неограниченного времени, оперативная память очищается при каждой перезагрузке системы.

Оперативная память работает только при наличии питания, что отличает ее от энергонезависимых накопителей, таких как жесткие диски и SSD-накопители. Программы загружаются в оперативную память только на время использования, но при этом хранятся на накопителях постоянно (пока не будут удалены).

Компьютерам необходим быстрый доступ к временным данным для запуска программ и выполнения задач. Например, современным компьютерным играм нужно быстро загружать графические ресурсы. Игры используют оперативную память для чтения и записи данных, потому что она намного быстрее энергонезависимых накопителей.

Читайте так же:
Импульсный блок питания низкое напряжение

Какая оперативная память совместима с вашей системной платой?

Оперативная память SO-DIMM (сверху) обычно используется в ноутбуках или небольших системных платах. Оперативная память DIMM (снизу) используется в стандартных системных платах для настольных ПК.

Прежде чем начинать думать о емкости и частоте оперативной памяти, нужно убедиться, что оперативная память совместима с вашей системной платой и вашим процессором. Модули памяти неподходящего типа просто не будут работать, а при несоответствующих спецификациях производительность памяти будет ниже ожидаемой.

Оперативная память выпускается в виде модулей, которые устанавливаются в разъемы на системной плате. Несовместимая с вашей системой оперативная память не подойдет к разъему или не будет работать надлежащим образом.

Современные системные платы поддерживают модули памяти DDR4. Память DDR4 не следует путать с памятью DDR3, которая представляет предыдущее поколение памяти SDRAM. Эти два типа модулей памяти не являются взаимозаменяемыми, и вы не можете заменить (например) 8 ГБ памяти DDR3 на 16 ГБ памяти DDR4.

DDR4 и SDRAM

В компьютерах используется оперативная память типа SDRAM (синхронное динамическое запоминающее устройство с произвольной выборкой). Синхронная память DRAM синхронизируется с частотой процессора. Память SDRAM постоянно совершенствовалась и теперь дает такие преимущества, как пониженное энергопотребление, повышенная скорость передачи данных и более стабильная передача данных.

В современных компьютерах в качестве стандарта используется память DDR4 SDRAM. DDR4 расшифровывается как Double Data Rate 4 (двойная скорость передачи данных 4). Это четвертое поколение технологии DDR, которая заменила технологию SDR (одинарная скорость передачи данных) в памяти SDRAM. Память DDR4 имеет увеличенную скорость передачи данных, увеличенную емкость и более низкое рабочее напряжение по сравнению с памятью предыдущего поколения.

Если вы собираете новый компьютер или заменяете память в относительно новой системе, скорее всего, вам придется иметь дело со стандартной памятью DDR4 SDRAM.

Почему память DDR4 не обладает обратной совместимостью? Потому что она имеет другие тайминги (см. ниже), другое рабочее напряжение, другое количество контактов, а также ряд других отличительных характеристик. Для предотвращения случайной установки шпонка защелки модулей DDR4 расположена не в том же месте, что и у модулей DDR3, то есть, модули DDR4 нельзя вставлять в разъемы DDR3.

Существует несколько простых способов подобрать совместимую память. Посмотрите документацию по своей системе или процессору, запустите утилиту профилирования системы, или используйте онлайн-инструмент для проверки совместимости памяти.

DIMM (двойной линейный модуль памяти) — это большие модули оперативной памяти, предназначенные для настольных ПК.

SO-DIMM (малый двойной линейный модуль памяти) — это модули памяти меньшего размера, предназначенные для ноутбуков, мини-ПК Intel® NUC и некоторых системных плат малого форм-фактора Mini-ITX (SFF).

Важные характеристики оперативной памяти

  • Емкость: измеряется в гигабайтах (ГБ). Чем больше емкость памяти, тем больше данных могут хранить в ней приложения. При большой емкости оперативной памяти больше приложений могут работать одновременно, а игры могут хранить в ней больше временных данных.
  • Скорость: Скорость памяти измеряется в миллионах операций передачи в секунду (МТ/с), эту единицу часто путают с мегагерцами (МГц), хотя скорость памяти и тактовая частота — разные вещи. Высокая скорость памяти означает более быстрое реагирование на запросы чтения и записи и, следовательно, более высокую производительность.

Сколько оперативной памяти нужно для игр?

Это зависит от разных факторов. Планируете ли вы просто играть в игры в свободное время, или вы будете вести стримы и переключаться между приложениями?

8 ГБ оперативной памяти считается базовым требованием для игр класса AAA. Однако требования к оперативной памяти растут. Например, в игре Red Dead Redemption 2 рекомендуется наличие 12 ГБ оперативной памяти для оптимальной производительности, а Half-Life: Alyx требует не менее 12 ГБ. Если вам необходим достаточный запас, чтобы играть в новые игры в будущем, рекомендуется установить 16 ГБ оперативной памяти.

Если вы планируете не просто играть, подумайте о 32 ГБ. С таким объемом памяти вы сможете свободно вести прямые трансляции, общаться в чате на Discord и использовать YouTube или Twitch в другом окне.

Если ваш бюджет это позволяет, и вам нужно еще больше оперативной памяти (для 3D-моделирования или других профессиональных приложений), Windows 10 Home и новейшие процессоры Intel® Core™ i9 поддерживают до 128 ГБ. Посмотрите показатель «Максимальный объем памяти» в спецификациях памяти вашего процессора.

Какая мне нужна скорость оперативной памяти?

Ищите подходящий баланс между емкостью и скоростью. Скорее всего, 32 ГБ медленной оперативной памяти не будут идеальным решением, равно как и 4 ГБ быстрой оперативной памяти.

Скорость памяти DDR4 начинается с 1600 МГц, но по сегодняшним стандартам это небольшая скорость. Например, процессор Intel® Core™ i9-10900 поддерживает частоту памяти 2933 МГц в базовой конфигурации.

В играх оперативная память с более высокой частотой дает преимущества. Хотя эффект не такой заметный, как при замене процессора или видеокарты, более быстрая память также может улучшить производительность игры и показатель частоты кадров.

Улучшение производительности будет разным в разных играх, некоторые игры будут работать намного быстрее, в других же разница будет малозаметна. Чтобы оценить необходимость обновления стоит посмотреть результаты тестов со средними показателями частоты кадров.

Читайте так же:
Запись видео на компьютер через веб камеру

В дополнение к повышению частоты кадров более быстрая память может обеспечить стабильность частоты кадров и ускорить загрузку кадров. Эти показатели будут представлены в тестах как низкие значения 1 % и 0,1 % (средний наиболее медленный показатель для 1 % и 0,1 % записанных кадров).

Помимо улучшения частоты кадров быстрая оперативная память может повысить производительность игры и в других областях, в том числе сократить время ее загрузки.

Другие факторы

Обычно оперативную память приобретают комплектами по два или четыре модуля (например, 2×16 ГБ или 4×8 ГБ). Перед покупкой набора следует посмотреть, сколько разъемов памяти имеется на вашей системной плате.

В настольных ПК обычно бывает четыре разъема памяти, а в ноутбуках — два. На рабочих станциях и ПК для энтузиастов может быть восемь или более разъемов, а в уникальных системах, таких как NUC и SFF, число разъемов может быть разным.

Если вы планируете заменить память в ноутбуке, убедитесь, что модули памяти доступны и не припаяны к системной плате. В некоторых ноутбуках оперативная память не предусматривает замену.

Если вы планируете обновить свой ПК в будущем, попробуйте оставить свободные разъемы памяти для будущего расширения, если это возможно. Например, если вы установите комплект 2×16 ГБ вместо 4×8 ГБ, у вас останется два свободных разъема для будущего обновления ПК.

Чтобы воспользоваться преимуществом увеличенной пропускной способности с двухканальной памятью, рекомендуется установить хотя бы одну пару модулей оперативной памяти в симметричные разъемы (обычно они имеют цветовую кодировку). Модули должны иметь одинаковую емкость и желательно одинаковую скорость, т. к. если скорости не совпадают, конечную скорость определяет более медленный модуль памяти.

Что такое двухканальная оперативная память?

Во многих современных компьютерах используется двухканальная память. Двухканальный режим (или режим с чередованием) позволяет контроллеру памяти процессора обмениваться данными с оперативной памятью по двум каналам, выполняя чтение и запись на два модуля памяти одновременно. Это увеличивает доступную ширину полосы пропускания.

Двухканальный режим автоматически включается на большинстве системных плат, где имеется только два разъема DIMM. Однако при использовании двух модулей памяти на системной плате с четырьмя разъемами память необходимо устанавливать на тот же канал. Разъемы обычно имеют цветовую кодировку, и могут быть расположены или рядом, или через один. Конкретные указания можно найти в документации по системной плате.

Для обеспечения идеальной производительности желательно, чтобы все модули памяти имели одинаковую скорость, емкость и тайминги. По возможности следует избегать смешивания и сочетания модулей памяти с разными спецификациями.

Тайминги памяти

Скорость оперативной памяти — не единственный способ оценить ее производительность.

Тайминги используются для измерения времени задержки оперативной памяти до выполнения полученных команд. Тайминги памяти указываются как набор чисел, например, 16-18-18-36, и указываются на заводской наклейке на модуле памяти.

Каждое число соответствует определенному тесту. Например, первое число показывает задержку CAS (задержка строб-импульса адреса столбца) или количество тактовых циклов, за которое модуль памяти возвращает набор данных после получения запроса от контроллера памяти.

Сравнивать модули оперативной памяти исключительно по таймингам может быть довольно сложно. Например, время задержки CAS показывает только общее количество циклов; при оценке быстродействия также имеет значение и длительность каждого цикла. Например, память DDR3 обычно имеет более низкий показатель задержки CAS, чем память DDR4, но ее производительность ниже, потому что она имеет более низкую тактовую частоту.

При сборке игрового ПК тайминги памяти обычно не являются приоритетным фактором. Тайминги представляют интерес для оверклокеров, которые могут вручную понижать их значения в BIOS, а затем тестировать стабильность системы. Если это пройдет успешно, вы сможете добиться более высокой производительности с текущим объемом оперативной памяти.

Для большинства пользователей игровых ПК объем и скорость оперативной памяти являются наиболее важными факторами.

Оверклокинг 1 оперативной памяти

Если вы приобрели высокопроизводительную оперативную память, оверклокинг может помочь выйти за пределы ее расчетных спецификаций. Самый простой способ добиться этого — использовать профили Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP).

При выборе профиля Intel® XMP в BIOS поддерживаемой системной платы выполняется автоматическая настройка напряжения памяти, тактовой частоты и временных характеристик, за счет чего повышается производительность. Эти заранее определенные настройки уже протестированы и сертифицированы для обеспечения стабильности.

Некоторые системные платы позволяют модифицировать профили памяти и изменять точные настройки памяти вручную, используя BIOS.

Влияние таймингов памяти на производительность компьютера

Данная статья является продолжением популярного материала "Влияние объёма памяти на производительность компьютера", опубликованной у нас на сайте в апреле этого года. В том материале опытным путём мы установили, что объём памяти не сильно влияет на производительность компьютера, и в принципе, 512 Мб вполне достаточно для обычных приложений. После публикации к нам в редакцию поступило множество писем, в которых читатели просили подсказать, какую же именно память стоит брать и имеет ли смысл купить память подороже, но с меньшим объёмом, а так же просили провести сравнение разных типов памяти.

И действительно, если уж в играх разница между скоростями одного и того же компьютера с 512 и 1024 Мб памяти на борту мизерная, может быть стоит поставить 512 Мб дорогой памяти, чем 1024 Мб дешёвой? Вообще-то, на производительность одного и того же модуля памяти влияют задержки, так называемые тайминги. Обычно производитель указывает их через дефис: 4-2-2-8, 8-10-10-12 и так далее. Оверклокерская память для энтузиастов обычно имеет низкие тайминги, но стоит весьма дорого. Обычная же память, которая просто работает стабильно и не обещает рекордов скорости, имеет более высокие тайминги. В этот раз мы выясним, что же это за тайминги такие, задержки между чем и чем и как они влияют на производительность компьютера!

Читайте так же:
Игровой ноутбук dell inspiron 7577

С переходом индустрии на стандарт DDR-II многие пользователи сообщали, что память DDR-II работала не так быстро, как хотелось бы. Порой даже медленнее, чем память предыдущего поколения, DDR-I. Связывалось это именно с большими задержками первых модулей DDR-II. Что же это за задержки? Обычно они маркируются 4-4-4-12, четыре числа, записанных через дефис. Обозначают они следующее:

CAS LatencyRAS to CAS DelayRow PrechargeActivate to Precharge

Попробуем внести ясность в эти обозначения. Банк памяти состоит из двумерных массивов. Двумерный массив — это простейшая матрица, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое ячейки, сначала контроллер памяти должен задать номер строки и номер стобца, из которого считываются данные. Для выполнения этих операций контроллер должен подавать специальные сигналы на память.

RAS (Row Adress Strobe) — сигнал, определяющий адрес строки.

CAS (Column Adress Strobe) — сигнал, определяющий адрес столбца.

CAS Latency (CAS)- это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти.

RAS to CAS Delay (TRCD) — задержка между сигналами RAS и CAS. Как мы уже сказали, обращения к строкам и столбцам происходят отдельно друг от друга. Этот параметр определяет отставание одного сигнала от другого.

Row Precharge Delay (TRP) — задержка, необходимая на подзарядку емкостей ячеек памяти. Производится или закрытие целой строки.

Activate to Precharge (TRAS) — время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка.

Чем ниже эти тайминги, тем соответственно лучше: память будет работать быстрее с низкими задержками. А вот насколько лучше и насколько быстрее, надо проверить.

Память для скорости

BIOS современных материнских плат позволяет вручную менять значения таймингов. Главное — чтобы модули памяти поддерживали эти значения. По умолчанию значения таймингов "прошиты" в SPD чипах модулей и материнская плата автоматически выставляет рекомендованные производителем значения. Но энтузиастам ничто не мешает снизить задержки вручную, немного разогнав память. Часто это приводит к нестабильной работе. Поэтому, чтобы сравнить влияние таймингов на скорость, мы возьмём очень быструю память и будем безопасно её затормаживать, меняя те или иные задержки.

Компания OCZ, признанный авторитет в производстве модулей памяти для аксессуаров, сегодня выпускает очень быстрые модули DDR-II. Большинство производителей памяти DDR-II используют задержки 4-4-4-12 или 4-5-5-12. Это позволяет менее качественным и, соответственно, более дешёвым чипам памяти работать на заявленных частотах. Как правило, снизить задержки из BIOS в этих модулях не удаётся. Мы приняли решение использовать память OCZ PC2-5400 Titanium, имеющую тайминги 4-2-2-8.

Память OCZ PC5400 Titanium

Память OCZ серии Titanium может похвастаться тем, что на неё установлены медные распределители тепла с титановым покрытием. По утверждению компании OCZ, каждый модуль памяти перед продажей тестируется на стабильность, что исключает попадание брака на прилавки магазинов. А кроме того, при штатном напряжении памяти DDR-2 равным 1.8 Вольт, память OCZ Titanium рассчитана на работу при напряжении 2.1 Вольт. То есть, для энтузиастов и оверклокеров разгон практически гарантирован. Несмотря на то, что память OCZ Titanium рассчитана на частоту 667 МГц, мы будем тестировать её на стандартной для современных компьютеров частоте 533 МГц, чтобы отражать реальную скорость, хотя, конечно, велик соблазн разогнать такую красоту.

Два модуля памяти OCZ Titanium PC2-5400 объёмом по 512 Мб готовы и ждут своей очереди.

Теперь осталось подобрать хорошую тестовую платформу. Мы решили использовать компьютер, собранный на базе barebone-платформы Shuttle SB95P V2.

Barebone платформа Shuttle XPC SB95P V2

Это современная платформа, рассчитанная на использование в компьютерах с высокой производительностью. Она построена на чипсете Intel i925X, который имеет поддержку памяти только DDR-2, и при том использует технологии оптимизации PAT. В этом компьютере очень хорошо просчитана вентиляция, так что за перегрев нам не пришлось бояться.

Тестовая система

  • Intel Pentium 4 2.8 GHz (800 MHz FSB, 1024 Kb L2, LGA 775)
  • 80 Gb Maxtor DiamondMax 9 (7200 RPM, 8 Mb) S-ATA
  • SAPPHIRE RX600 PRO 128 Mb PCI Express
  • Windows XP Professional (Eng.) SP2
  • CATALYST 5.3

Тестировать память надо в разных приложениях, чтобы увидеть разницу в скорости или наоборот показать, что её нет. Здесь нам потребуются следующие тесты:

голоса
Рейтинг статьи
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector